BYWB29-100HE3_A/P
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYWB29-100HE3_A/P
| Artikelnummer: | BYWB29-100HE3_A/P |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
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- Spezifikationen
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYWB29-100HE3_A/P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BYWB29-100HE3_A/P.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3 V @ 20 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse TO-263AB (D²PAK) Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 25 ns Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tube Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10 µA @ 100 V Strom - Richt (Io) 8A Kapazität @ Vr, F - Grundproduktnummer BYWB29 -
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